Spectrométrie de masse à temps de vol par désorption-ionisation laser des verres et des films amorphes du système Ge-As-Se.

Résumé La spectrométrie de masse à temps de vol par désorption-ionisation laser a été exploitée pour la caractérisation des verres de chalcogénure Ge-As-Se et des films minces correspondants fabriqués par dépôt laser pulsé. Le principal résultat de cet article est la détermination de la stœchiométrie des clusters générés par le laser. Les clusters observés étaient As-b(+) (b = 1-3), Se-2(-), AsbSe+ binaire (b = 1-3), AsbSec- (b = 1-3, c = 1-4), Ge2Sec- (c = 2-3), As3Se2+, Ge2Asb- (b = 2-3), Ge3Asb- (b = 1-2), Ge3Se4-, As5Sec- (c = 4-5), GeAsSe4-, GeaAsSe5- (a = 1-4), GeAs2Se3-, GeAs3Se2-, Ge2As2Se2-, Ge2AsSec- (c = 6-7), et GeAs3Sec- (c = 5-6) (en mode ion positif ainsi qu'en mode ion négatif). Les stœchiométries des espèces identifiées sont comparées aux unités structurelles des verres/films minces révélées par l'analyse des spectres de diffusion Raman. Certaines espèces sont suggérées comme étant des fragments de verre en vrac ainsi que des films minces. La méthode décrite est également utile pour l'évaluation de la contamination des verres de chalcogénures ou de leurs films minces.